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SW20N65K2
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- N沟道，650V，20A，0.15Ω@10V
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SW20N65K2
- 商品编号
- C381546
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 40.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF@200V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用超结先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 低RDS(ON)（典型值0.15 Ω）@VGS = 10 V
- 低栅极电荷（典型值37nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
- 充电器-LED-电脑电源