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PT8810实物图
  • PT8810商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PT8810

双N沟道MOSFET

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描述
PT8810采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它具备静电放电（ESD）保护功能。该器件采用共漏极配置，适用于作为单向或双向负载开关
品牌名称
PUOLOP(迪浦)
商品型号
PT8810
商品编号
C3019811
商品封装
TSSOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V；18mΩ@2.5V
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
栅极电荷量(Qg)15nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.15nF
反向传输电容(Crss)145pF
工作温度-55℃~+150℃
配置共漏
类型N沟道
输出电容(Coss)185pF

数据手册PDF

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