PT8810
双N沟道MOSFET
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- 描述
- PT8810采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它具备静电放电(ESD)保护功能。该器件采用共漏极配置,适用于作为单向或双向负载开关
- 品牌名称
- PUOLOP(迪浦)
- 商品型号
- PT8810
- 商品编号
- C3019811
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V;18mΩ@2.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
FKBA6214 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 FKBA6214 符合 RoHS 和绿色产品要求,100% 保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- VDS(V) = 20V
- ID = 7A
- RDS(ON) < 22mΩ (VGS = 4.5V)
- RDS(ON) < 26mΩ (VGS = 2.5V)
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