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PT8810实物图
  • PT8810商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PT8810

双N沟道MOSFET

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描述
PT8810采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它具备静电放电(ESD)保护功能。该器件采用共漏极配置,适用于作为单向或双向负载开关
品牌名称
PUOLOP(迪浦)
商品型号
PT8810
商品编号
C3019811
商品封装
TSSOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V;18mΩ@2.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)15nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.15nF
反向传输电容(Crss)145pF
工作温度-55℃~+150℃
配置共漏
类型N沟道
输出电容(Coss)185pF

商品概述

FKBA6214 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 FKBA6214 符合 RoHS 和绿色产品要求,100% 保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。

商品特性

  • VDS(V) = 20V
  • ID = 7A
  • RDS(ON) < 22mΩ (VGS = 4.5V)
  • RDS(ON) < 26mΩ (VGS = 2.5V)

数据手册PDF