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A2N7002H-HF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

A2N7002H-HF

1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA

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描述
特性:低导通电阻。 ESD保护栅极,可达2KV HBM。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。 通过AEC-Q101认证
品牌名称
Comchip(典琦)
商品型号
A2N7002H-HF
商品编号
C3019738
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@5V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)41pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

WSF60120是一款高性能SGT N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSF60120符合RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的可靠性认证。

商品特性

  • 低导通电阻。
  • 栅极具备高达 2KV HBM 的静电放电保护。
  • 高速开关。
  • 驱动电路简单。
  • 易于并联使用。
  • 通过 AEC-Q101 认证。

应用领域

  • 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
  • 网络直流-直流电源系统
  • 液晶显示器(LCD)/发光二极管(LED)背光

数据手册PDF