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DTC143EE-MS
数字晶体管（NPN型）
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- 描述
- 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：250mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@10mA,5V
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- DTC143EE-MS
- 商品编号
- C3018926
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 20 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV | |
| 输入电阻 | 6.11kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
商品特性
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优点
- 操作时只需设置开/关状态，使器件设计变得简单
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