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LM74700QDRQ1

汽车类低lQ电池反向保护理想二极管控制器

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描述: 是一款符合汽车AECQ100标准的理想二极管控制器，可与外部N沟道MOSFET配合工作，作为理想二极管整流器利用20mV正向压降实现低损耗反极性保护。3.2V至65V的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如12V、24V和48V汽车电池系统）的控制。3.2V输入电压支持可满足汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至-65V的负电源电压，并提供负载保护
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM74700QDRQ1
商品编号: C33579657
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

商品概述

LM74700D-Q1 是一款符合汽车AEC-Q100标准的理想二极管控制器，可与外部N沟道MOSFET配合工作，作为理想二极管整流器利用20mV正向压降实现低损耗反极性保护。3.2V 至 65V的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如 12V、24V 和48V 汽车电池系统）的控制。3.2V 输入电压支持可满足汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至-65V 的负电源电压，并提供负载保护。该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至20mV 。该调节方案可在反向电流事件中支持MOSFET 平稳关断，并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断，专为在ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统而设计。LM74700D-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74700D-Q1 的高电压额定值有助于简化满足 ISO7637 汽车保护测试标准的系统设计。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流。

商品特性

符合AEC-Q100标准
器件温度等级1，环境工作温度范围-40℃ 至 +125℃
器件HBM ESD分类等级2
器件CDM ESD分类等级C4B
3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
-65V 反向电压额定值
提供适用于外部N沟道MOSFET的电荷泵
20mV阳极至阴极正向压降调节
具备使能引脚特性
1µA 关断电流（EN = 低电平）
80µA 工作静态电流（EN = 高电平）
2.3A 峰值栅极关断电流
< 0.75µs 反向电流阻断响应
采用合适的TVS二极管，符合汽车ISO7637瞬态要求
采用8引脚SOIC封装

应用领域

汽车ADAS系统-摄像头
汽车信息娱乐系统-音响主机
工业工厂自动化-PLC
企业电源
冗余电源的有源OR-ing

	属性	参数值
	商品目录	理想二极管/ORing控制器
	输入电压(Vin)	3.2V~65V
	反向耐压	65V
	导通电流(Imax)	2.37A
	FET类型	外置FET
	栅极驱动电压	15V

	属性	参数值
	正向压降(Vf)	20mV
	静态电流(Iq)	80uA
	工作温度	-40℃~+150℃
	拉电流(IOH)	11mA
	灌电流(IOL)	2.37A
	功能特性	带使能；反向极性保护；反向电流阻断