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K2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 特性：ESD额定值：1000V（HBM）。 低导通电阻：在VCS = 10V时，RDS(cm) < 3Ω。 高功率和电流处理能力。 非常快速的开关速度。 符合RoHS标准的器件。应用：高速线路驱动器
- 商品型号
- K2N7002K
- 商品编号
- C379916
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
200V/90A 导通电阻 RDS(ON) = 23 毫欧（典型值）；在栅极 - 源极电压 VGS 为 10V 时100% 经过雪崩测试
- 性能可靠且经久耐用
- 提供不含卤素且环保的产品（符合 RoHS 标准）
商品特性
- 200 伏/90 安培
- 截止电阻 RDS(ON) = 23 毫欧（典型值），在栅极 - 源极电压 VGS 为 10 伏时
- 100% 雪崩测试通过
- 可靠且耐用
- 无卤素环保型器件可用（符合 RoHS 标准）
应用领域
- 逆变器系统的电源管理
- N 沟道 MOSFET