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VIS30039

30V N沟道功率沟槽MOSFET,电流:32A,耐压:30V

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商品型号
VIS30039
商品编号
C3013784
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.062克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)36W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45.5nC@10V
输入电容(Ciss)2.366nF
反向传输电容(Crss)225pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)350pF

商品概述

AP10G06S采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 12.5A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 36mΩ(典型值:28mΩ)
  • VDS = -60V,ID = -9.7A
  • 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 70mΩ(典型值:48mΩ)

应用领域

  • 升压驱动器-无刷电机

数据手册PDF