H5AN4G8NBJR-VKC
商品参数
参数完善中
商品概述
H5AN4G4NBJR-xxC、H5AN4G8NBJR-xxC 和 H5AN4G6NBJR-xxC 是 4Gb 的 CMOS 双倍数据速率 IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（SDRAM），非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。SK hynix 的 4Gb DDR4 SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。数据路径采用内部流水线和 8 位预取，以实现非常高的带宽。
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.2V ± 0.06V
- 完全差分时钟输入（CK、CK）操作
- 差分数据选通（DQS、DQS）
- 片上 DLL 使 DQ、DQS 和 DQS 转换与 CK 转换对齐
- DM 在数据选通的上升沿和下降沿屏蔽写入数据
- 除数据、数据选通和数据掩码外，所有地址和控制输入在时钟的上升沿锁存
- 可编程 CAS 潜伏期为 9、11、12、13、14、15、16、17、18、19 和 20
- 支持可编程附加潜伏期 0、CL - 1 和 CL - 2（仅 x4/x8）
- 可编程 CAS 写入潜伏期（CWL） = 9、10、11、12、14、16、18
- 可编程突发长度为 4/8，具有半字节顺序和交错模式
- 动态突发长度切换
- 16 个存储体
- 平均刷新周期（温度范围 0℃ ~ 95℃）
- 在 0℃ ~ 85℃ 时为 7.8µs
- 在 85℃ ~ 95℃ 时为 3.9µs
- JEDEC 标准 78 球 FBGA（x4/x8）、96 球 FBGA（x16）
- 驱动强度由 MRS 选择
- 支持动态片上终端
- 可通过 ODT 引脚切换 RTT_PARK 和 RTT_NOM 两种终端状态
- 支持异步复位引脚
- 支持 ZQ 校准
- 支持 TDQS（终端数据选通）（仅 x8）
- 支持写入电平调整
- 8 位预取
- 本产品符合 RoHS 指令
- 可提供内部 Vref DQ 电平生成
- 所有速度等级均支持写入 CRC
- 支持最大节能模式
- 支持 TCAR（温度控制自动刷新）模式
- 支持 LP ASR（低功耗自动自刷新）模式
- 支持精细粒度刷新
- 支持每个 DRAM 可寻址性
- 支持降速模式（1/2 速率、1/4 速率）
- 支持读写可编程前导码
- 支持自刷新中止
- 支持 CA 奇偶校验（命令/地址奇偶校验）模式
- 应用了存储体分组，同一或不同存储体组访问的存储体的 CAS 到 CAS 潜伏期（tCCD_L、tCCD_S）可用
- 支持 DBI（数据总线反转）（x8）