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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.277nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.2pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 135pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39.3mΩ |
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