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GS61008P-MR
底部散热100V增强模式GaN晶体管
- 描述
- 增强模式氮化镓硅功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。岛式技术单元布局实现了高电流管芯和高良率。GaNPX封装可在小封装中实现低电感和低热阻。底部冷却晶体管，为高功率应用提供极低的结壳热阻。这些特性结合在一起，可提供非常高效的功率开关。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- GS61008P-MR
- 商品编号
- C33302204
- 商品封装
- SMD-4P,7.6x4.6mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 250pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ |