GS61008P-MR

底部冷却100V增强模式GaN晶体管

描述

增强模式氮化镓硅功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。岛式技术单元布局实现了高电流管芯和高良率。GaNPX封装可在小封装中实现低电感和低热阻。底部冷却晶体管，为高功率应用提供极低的结壳热阻。这些特性结合在一起，可提供非常高效的功率开关。

品牌名称

Infineon(英飞凌)

商品型号

GS61008P-MR

商品编号

C33302204

商品封装

SMD-4P,7.6x4.6mm​

包装方式

编带

商品毛重

0.1克(g)