VOW3120-X017T

VOW3120由一个红外发光二极管和一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制和逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，VOW3120可用于驱动分立功率级，进而驱动IGBT栅极。 VOW3120为在更高工作电压和/或更高污染等级标准下运行的应用提供更高的隔离性能。更高的VIORM、VIOTM、爬电距离和电气间隙，使VOW3120非常适合许多工业控制和功率转换应用。

• 最小峰值输出电流2.5 A
• 最小外部爬电距离10 mm
• 共模抑制比50 kV/μs（典型值）
• 最大电源电流ICC = 2.5 mA
• 带迟滞功能的欠压锁定（UVLO）
• 宽VCC工作范围：15 V至32 V
• 工业温度范围：-40 ℃至+100 ℃

• 工业焊接设备
• 电机驱动器
• 工业逆变器
• 商用和家用太阳能逆变器
• 风力发电机逆变器
• 电动汽车和插电式混合动力汽车充电器