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DMG6402LDM-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.3A 停产
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- 描述
- 特性：低RDS(ON)。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 设计无铅/RoHS合规。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 “绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG6402LDM-7
- 商品编号
- C3003064
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 404pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-栅极具备ESD保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 负载开关-DC-DC转换器-电源管理功能