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STP35N60DM2
1个N沟道 耐压:600V 电流:28A
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- 描述
- N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP35N60DM2
- 商品编号
- C3002265
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征的电容和雪崩安全工作区
- 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力
- 无铅
- 符合 RoHS 标准、无卤
应用领域
- 有刷电机驱动应用
- 无刷直流电机驱动应用
- 电池供电电路
- 半桥和全桥拓扑
- 同步整流器应用
- 谐振模式电源
- 或门和冗余电源开关
- DC/DC 和 AC/DC 转换器
- DC/AC 逆变器
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