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SLM2009CA-DG
160V Half-Bridge Driver
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- 描述
- 160V半桥，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑,DT:120ns,高低边欠压保护
- 品牌名称
- Sillumin(数明半导体)
- 商品型号
- SLM2009CA-DG
- 商品编号
- C3001941
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 10V~18V | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
SLM2009是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200V。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作而设计
- 最高可在+200V下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10V至18V
- 欠压锁定功能
- 与3.3V、5V逻辑兼容
- 具备交叉导通预防逻辑
- 双通道的传播延迟匹配
- 内部设置死区时间
- 高端输出与HIN输入同相
- 低端输出与LIN输入反相
- 符合RoHS标准
- SOP8封装