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MLG75T65FDK
IGBT 75A 650V
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- 描述
- IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=75A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLG75T65FDK
- 商品编号
- C33129607
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 468W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 240A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 55uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.6V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 156nC@75A,15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.979nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 187pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 36pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 29ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.25mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 36ns |