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MLG75T65FDK

IGBT 75A 650V

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描述
IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=75A
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
MLG75T65FDK
商品编号
C33129607
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
6.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)75A
耗散功率(Pd)468W
集射极饱和电压(VCE(sat))2.6V@75A,15V
属性参数值
栅极阈值电压(Vge(th))5.5V@1mA
栅极电荷量(Qg)156nC@75A,15V
输入电容(Cies)3.979nF@25V
开启延迟时间(Td(on))-
关断延迟时间(Td(off))-

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