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PJM7002KNSI
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.34A
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 高饱和电流能力。 静电放电（HBM）防护高达2.5KV。 漏源电压为60V，漏极电流为0.34A，栅源电压为10V时，导通电阻小于5Ω。应用：DC/DC转换器。 便携式设备负载开关
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM7002KNSI
- 商品编号
- C3000400
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应功率 MOSFET
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器开关