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MC2539
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.5A
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- 描述
- 集成N-MOS和PNP三极管,小封装
- 品牌名称
- Megapower(瑞信)
- 商品型号
- MC2539
- 商品编号
- C375700
- 商品封装
- DFN-6L(2.1x2.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
小信号晶体管PNP低VCEsat突破与N沟道沟槽MOSFET的组合。该器件采用无引脚中功率DFN2X2表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低集电极 - 发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力Ic和ICM
- 高Ic时具有高集电极电流增益（hFE）
- 发热少，能源效率高
- 与传统晶体管相比，所需印刷电路板（PCB）面积更小
应用领域
- 负载开关
- 充电电路
- 电源管理
- 电池驱动设备
- 功率开关（如电机、风扇）