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MI5809
1个N沟道 耐压:20V 电流:300mA
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- 描述
- 集成PNP三极管和MOS管
- 品牌名称
- Megapower(瑞信)
- 商品型号
- MI5809
- 商品编号
- C375699
- 商品封装
- DFN-10(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 500mΩ@2.5V,0.5A | |
| 功率 | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
小信号晶体管PNP低VCEsat与N沟道沟槽MOSFET的组合。该器件采用无引脚中功率DFN3X2表面贴装器件（SMD）塑料封装。
应用领域
-负载开关-充电电路-电源管理-电池驱动设备-电源开关(如电机、风扇)