温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MF5853CS
MF5853CS
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 集成P-MOS和肖特基二极管,
- 品牌名称
- Megapower(瑞信)
- 商品型号
- MF5853CS
- 商品编号
- C375698
- 商品封装
- DFN-8(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@4.5V,3.9A | |
| 功率 | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款微型表面贴装MOSFET采用先进的沟槽工艺，低RDS(ON)可确保实现最小的功率损耗和能量转换，使该器件非常适合用于电源管理电路。
商品特性
- MOSFET
- VDS(V) = -20V
- ID(A) = -3.9A（VGS = -4.5V）
- RDS(on) = 110 mΩ（VGS = -4.5 V）
- RDS(on) = 145 mΩ（VGS = -2.5 V）
- RDS(on) = 175 mΩ（VGS = -1.8 V）
- 肖特基二极管
- VR(V) = 20 V
- IF(A) = 1.5A
- VF(典型值) = 0.41 V（0.5 A）
- DFN 2 × 3 × 0.75(mm)
应用领域
- 便携式设备充电开关