2个N沟道 耐压:60V 电流:56A
- 1+: ¥2.48 / 个
- 10+: ¥2 / 个
- 30+: ¥1.79 / 个
- 100+: ¥1.54 / 个
- 500+: ¥1.32 / 个
- 1000+: ¥1.25 / 个 (折合1圆盘6250元)
1+: |
¥2.48 / 个 |
10+: |
¥2 / 个 |
30+: |
¥1.79 / 个 |
100+: |
¥1.54 / 个 |
500+: |
¥1.32 / 个 |
1000+: |
¥1.25 / 个 (折合1圆盘6250元) |
单击复制
单击复制
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 56A | |
功率(Pd) | 60W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@10V,20A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18.5nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 926pF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 39pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |