HYG090ND06LS1C2
2个N沟道 耐压:60V 电流:56A
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- 描述
- 特性：60V/56A。 RDS(ON) = 8.0 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 12.2 mΩ（典型值） @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。 DC/DC 电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG090ND06LS1C2
- 商品编号
- C2999758
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 926pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 505pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 60V/56A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) = 8.0 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 12.2 mΩ(典型值)
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-开关应用-DC/DC电源管理