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HYG023N04NR1D
1个N沟道 耐压:45V 电流:140A
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- 描述
- 特性：45V/140A，R_D(ON)=2.3mΩ（典型值），V_GS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。应用：负载开关。 电池保护
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG023N04NR1D
- 商品编号
- C2999757
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.412nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 485pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 615pF |
商品特性
- 70V、100A
- 漏源导通电阻RDS(ON) < 7.8 mΩ，栅源电压VGS = 10 V时典型值为6.7 mΩ
- 先进沟槽功率MOSFET
- 提供优异的漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
-直流-直流转换器-便携式设备负载开关-电池开关-整流器
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