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PTL03N10
100V/2.6A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTL03N10
- 商品编号
- C32989179
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品概述
PTL03N10采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 100V, ID = 2.6A
- RDS(ON)< 165 m Ω@ VGS=10 V
- 高密度单元设计,实现超低 Rdson
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源