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IMBG40R011M2HXTMA1引脚图
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IMBG40R011M2HXTMA1

400V CoolSiC MG2 MOSFET

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描述
特性:适用于高频开关和同步整流。 换向稳健的快速体二极管,具有低Qfr。 低RDS(on)温度依赖性。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 推荐栅极驱动电压0V至18V。 .XT互连技术,实现一流的热性能。应用:开关电源。 太阳能光伏逆变器
商品型号
IMBG40R011M2HXTMA1
商品编号
C32954118
商品封装
TO-263-7​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)133A
耗散功率(Pd)429W
阈值电压(Vgs(th))5.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)85nC
输入电容(Ciss)2.9nF
反向传输电容(Crss)33pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)410pF
导通电阻(RDS(on))14.4mΩ

商品特性

  • 适用于高频开关和同步整流
  • 具有低Qfr的快速体二极管,具备换向鲁棒性
  • 导通电阻RDS(on)对温度的依赖性低
  • 基准栅极阈值电压VGS(th) = 4.5V
  • 推荐栅极驱动电压为0V至18V
  • 采用.XT互连技术,实现一流的散热性能
  • 经过100%雪崩测试

应用领域

  • 开关电源
  • 太阳能光伏逆变器
  • 储能、不间断电源和电池化成
  • D类音频
  • 电机驱动

数据手册PDF