- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMSQ120R053M2HHXUMA1
碳化硅MOSFET，具有顶部冷却和XT技术
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMSQ120R053M2HHXUMA1
- 商品编号
- C32904946
- 商品封装
- HDSOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 耗散功率(Pd) | 234W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 41pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ |
商品特性
- V_DSS = 1200 V，在 T_vj = 25°C 条件下
- I_DDC = 32 A，在 T_C = 100°C 条件下
- R_DS(on) = 53 mΩ，在 V_GS = 18 V， T_vj = 25°C 条件下
- 内部布局针对快速开关进行了优化
- 极低的开关损耗
- 过载工作能力可达 T_vi = 200°C
- 短路耐受时间为 2 µs
- 基准栅极阈值电压，V_GS(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 具有适用于硬换流的稳健体二极管
- 采用 .XT 互连技术，实现同类的散热性能
应用领域
- 通用驱动
- 电动汽车充电
- 在线式不间断电源 / 工业用不间断电源
- 组串式逆变器
- 伺服驱动