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6N136M实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

6N136M

DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V

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描述
UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容,为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距(M型)和贴片式(SMD)可选
商品型号
6N136M
商品编号
C2995535
商品封装
DIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.48克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录逻辑输出光耦
输入类型DC
工作电压-
隔离电压(Vrms)5kV
CMTI(kV/us)10kV/us
传输速率1Mbit/s
CTR-电流传输比15%
通道数1
属性参数值
工作温度-55℃~+100℃
传播延迟 tpLH800ns
传播延迟 tpHL800ns
输入阈值电流(FH)-
耗散功率(Pd)100mW
正向压降(Vf)1.45V
直流反向耐压(Vr)5V
正向电流(If)25mA

数据手册PDF

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(45个/管,最小起订量 5 个)
起订量:5 个45个/管

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