FMH11N90E
N沟道硅功率MOSFET
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- 描述
- 特性:保持低功耗和低噪声。 较低的导通电阻 (Rs(on)) 特性。 通过栅极电阻可更可控地切换 dv/dt。 开关期间较小的源极 (Vs) 振铃波形。 栅极阈值电压范围窄 (4.0±0.5V)。 高雪崩耐用性。应用:开关稳压器。 不间断电源 (UPS)
- 品牌名称
- FUJI(富士电机)
- 商品型号
- FMH11N90E
- 商品编号
- C32882926
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 830mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@450V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- N沟道,常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 根据J-STD-020标准,湿度敏感度等级为1级
