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FMH11N90E
N沟道硅功率MOSFET
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- 描述
- 特性：保持低功耗和低噪声。 较低的导通电阻 (Rs(on)) 特性。 通过栅极电阻可更可控地切换 dv/dt。 开关期间较小的源极 (Vs) 振铃波形。 栅极阈值电压范围窄 (4.0±0.5V)。 高雪崩耐用性。应用：开关稳压器。 不间断电源 (UPS)
- 品牌名称
- FUJI(富士电机)
- 商品型号
- FMH11N90E
- 商品编号
- C32882926
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 830mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@450V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 兼具低功率损耗和低噪声特性
- 更低的导通电阻(RDS (on))特性
- 通过栅极电阻可更精准控制开关电压变化率(dv/dt)
- 开关过程中栅源电压(VGS)振铃波形更小
- 栅极阈值电压范围窄(4.0±0.5V)
- 高雪崩耐久性
应用领域
-开关稳压器-不间断电源(UPS)-直流-直流转换器