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FMH11N90E实物图
  • FMH11N90E商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FMH11N90E

N沟道硅功率MOSFET

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描述
特性:保持低功耗和低噪声。 较低的导通电阻 (Rs(on)) 特性。 通过栅极电阻可更可控地切换 dv/dt。 开关期间较小的源极 (Vs) 振铃波形。 栅极阈值电压范围窄 (4.0±0.5V)。 高雪崩耐用性。应用:开关稳压器。 不间断电源 (UPS)
品牌名称
FUJI(富士电机)
商品型号
FMH11N90E
商品编号
C32882926
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))830mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)93nC@450V
输入电容(Ciss)2.3nF
反向传输电容(Crss)15pF
类型N沟道
输出电容(Coss)200pF

商品特性

  • N沟道,常电平
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 出色的热阻性能
  • 100%雪崩测试
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
  • 根据J-STD-020标准,湿度敏感度等级为1级

数据手册PDF