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SIS892ADN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:28A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 能够以5V栅极驱动运行。应用：电信模块。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS892ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C2994665
- 商品封装
- Power-PAK-1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 217pF |
商品概述
NP4834D6采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。 该器件适用于开关模式电源（SMPS）中的高端开关及通用应用。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 能够在5V栅极驱动下工作
应用领域
- 电信模块
- 初级侧开关
- 同步整流
- 工业应用