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MTP3401N3
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 低栅极电荷。 紧凑薄型SOT-23封装。 无铅无卤封装
- 品牌名称
- CYSTECH(全宇昕)
- 商品型号
- MTP3401N3
- 商品编号
- C373446
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 946pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 低栅极电荷
- 紧凑薄型SOT - 23封装
- 无铅无卤封装
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