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NCE60H10K
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- NCE60H10K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关及通用应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60H10K
- 商品编号
- C2992581
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO4407-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -12A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 9.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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