2N7002DW
2个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- 双N沟道MOSFET,采用SOT-363塑料封装。
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- 2N7002DW
- 商品编号
- C2992358
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
采用SOT-363塑料封装的双N沟道MOSFET。
商品特性
- 栅极触发电流灵敏且维持电流低。
- 具备ESD保护二极管。
- 无卤产品。
应用领域
- 适用于通用开关和相位控制应用。
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