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NP2N7002VR-G
60V, 340mA, N沟道 MOSFET
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- 描述
- NP2N7002VR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP2N7002VR-G
- 商品编号
- C2991121
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NP3407VR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 340 mA
- RDS(ON)(典型值) = 1.15 Ω @ VGS = 10 V
- RDS(ON)(典型值) = 1.25 Ω @ VGS = 4.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- ESD等级:2000V HBM
应用领域
- PWM应用
- 负载开关