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NP2N10VR-G
1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- NP2N10VR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP2N10VR-G
- 商品编号
- C2991120
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 423pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
商品概述
NP3407MR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 2 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON)(典型值) = 200 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON)(典型值) = 220 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关