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NP2N10MR-G
1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- NP2N10MR采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，可实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP2N10MR-G
- 商品编号
- C2991119
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NP2302FVR-J采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，以达到超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 2 A
- RDS(ON)(典型值) = 50 mΩ @VGS=4.5V
- RDS(ON)(典型值) = 68 mΩ @VGS=2.5V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关