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SI2302实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI2302

N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:3.3A

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描述
特性:快速开关。 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)。 高功率和电流处理能力。 VDS = 20V,Id = 3.3A。 RDS(on) < 45mΩ(VGS = 4.5V时)。应用:电池保护。 负载开关
品牌名称
DOWO(东沃)
商品型号
SI2302
商品编号
C2988646
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.3A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)700mW
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)4nC@4.5V
输入电容(Ciss)300pF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)120pF

商品概述

AP6985系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种适用于广泛电源应用的高效器件。

商品特性

  • 支持1.8V栅极驱动
  • 尺寸小、厚度薄
  • 无卤且符合RoHS标准的产品

数据手册PDF