SI2302
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:3.3A
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- 描述
- 特性:快速开关。 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)。 高功率和电流处理能力。 VDS = 20V,Id = 3.3A。 RDS(on) < 45mΩ(VGS = 4.5V时)。应用:电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- DOWO(东沃)
- 商品型号
- SI2302
- 商品编号
- C2988646
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
AP6985系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种适用于广泛电源应用的高效器件。
商品特性
- 支持1.8V栅极驱动
- 尺寸小、厚度薄
- 无卤且符合RoHS标准的产品
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