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CEM9926
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 675pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 4.5 S（典型值）
- 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 650V）
- 增强型模式：Vth = 2.0 至 4.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）
应用领域
- 开关稳压器应用
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