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GS61004B-MR实物图
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GS61004B-MR

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描述
增强模式氮化镓(GaN)-硅功率晶体管。GaN的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。通过行业领先的创新,如获得专利的岛式技术和GaNPX封装。岛式技术的单元布局实现了高电流芯片和高良率。GaNPX封装在小尺寸封装中实现了低电感和低热阻。底部冷却晶体管,为高功率应用提供极低的结到外壳热阻。这些特性结合在一起,提供了非常高效的功率开关。
商品型号
GS61004B-MR
商品编号
C32549076
商品封装
SMD-3P,4.6x4.4mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

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参数完善中

数据手册PDF