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UCC27444QDRQ1
UCC27444QDRQ1
- 描述
- 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为4A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。具有快速传播延迟（典型值为18ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可在INx输入端处理 -5V的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC27444QDRQ1
- 商品编号
- C32552611
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 4.5V~18V | |
| 上升时间(tr) | 11ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 7ns | |
| 传播延迟 tpLH | 18ns | |
| 传播延迟 tpHL | 30ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.6V~2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.5V | |
| 静态电流(Iq) | 380uA |