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FDN8601
1个N沟道 耐压:100V 电流:2.7A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN8601
- 商品编号
- C367389
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 1.5 A 时,最大导通电阻 rDS(on) = 109 m Ω
- 在 VGS = 6 V、ID = 1.2 A 时,最大导通电阻 rDS(on) = 175 m Ω
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 广泛使用的表面贴装封装,具备高功率和大电流处理能力
- 开关速度快
- 100%进行了非钳位感性负载(UII)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-主直流-直流开关-负载开关