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TF21844M-TUH
半桥栅极驱动器
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- 描述
- 高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
- 品牌名称
- TFSS(德律风根)
- 商品型号
- TF21844M-TUH
- 商品编号
- C2981475
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A | |
| 拉电流(IOH) | 1.4A | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpLH | 680ns | |
| 传播延迟 tpHL | 270ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 1mA |
商品概述
TF21844M是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压工艺使TF21844M的高端在自举操作中可切换至600V。 TF21844M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。通过外部电阻可对死区时间进行编程，为系统级设计提供了更大的灵活性。 TF21844M采用PDIP - 14和SOIC - 14(N)封装。其工作温度范围为 - 40℃至 + 125℃。
商品特性
- 自举操作中浮动高端驱动器可达600V
- 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
- 源电流1.4A / 灌电流1.8A的输出电流能力
- 输出可耐受负瞬变
- 可编程死区时间以保护MOSFET
- 宽范围低端栅极驱动器电源电压：10V至20V
- 宽范围逻辑电源电压偏移电压： - 5V至5V
- 逻辑输入（IN和SD*）支持3.3V
- 带内部下拉的施密特触发逻辑输入
- 高端和低端驱动器均具备欠压锁定功能
- 扩展温度范围： - 40℃至 + 125℃
应用领域
- DC - DC转换器
- AC - DC逆变器
- 电机控制
- D类功率放大器