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N32G455CCL7

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描述
N32G455系列采用32 bit ARM Cortex-M4F内核,最高工作主频144MHz,支持浮点运算和DSP指令,集成多达512KB Flash,144KB SRAM,4x12bit 5Msps ADC,4个运算放大器,7个模拟比较器,2x1Msps 12bit DAC,支持多达24通道电容式触摸按键,集成多路U(S)ART、I2C、SPI、QSPI、USB、CAN通信接口,1xSDIO接口,内置密码算法硬件加速引擎。
商品型号
N32G455CCL7
商品编号
C2981438
商品封装
LQFP-48(7x7)​
包装方式
托盘
商品毛重
1.29克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

N32G455系列采用32 bit ARM Cortex-M4F内核,最高工作主频144MHz,支持浮点运算和DSP指令,集成多达512KB Flash,144KB SRAM,4x12bit 5Msps ADC,4个运算放大器,7个模拟比较器,2x1Msps 12bit DAC,支持多达24通道电容式触摸按键,集成多路U(S)ART、I2C、SPI、QSPI、USB、CAN通信接口,1xSDIO接口,内置密码算法硬件加速引擎

商品特性

  • 内核CPU:32位ARM Cortex-M4内核 + FPU,单周期硬件乘除法指令,支持DSP指令和MPU;内置8KB指令Cache缓存,支持Flash加速单元执行程序0等待最高主频144MHz,180DMIPS
  • 加密存储器:高达512KByte片内Flash,支持加密存储、多用户分区管理及数据保护,支持硬件ECC校验,10万次擦写次数,10年数据保持;144KByte片内SRAM(包含16KByte Retention RAM),Retention RAM支持硬件奇偶校验
  • 时钟:HSE:4MHz~32MHz外部高速晶体;LSE:32.768KHz外部低速晶体;HSI:内部高速RC OSC 8MHz;LSI:内部低速RC OSC 40KHz;内置高速PLL支持1路时钟输出,可配置为可配置系统时钟、HSE、HSI或PLL后分频输出
  • 复位:支持上电/掉电/外部引脚复位;支持可编程的低电压检测及复位;支持看门狗复位
  • 通信接口:7个U(S)ART接口,最高速率达4.5 Mbps,其中3个USART接口(支持1xISO7816,1xIrDA,LIN),4个UART接口;3个SPI接口,速度高达36 MHz,其中2个支持I2S;1个QSPI接口,速率高达144 Mbps;4个I2C接口,速率高达1 MHz,主从模式可配,从机模式下支持双地址响应;1个USB2.0 Full speed Device接口;2个CAN 2.0A/B总线接口;1个SDIO接口,支持SD/MMC格式
  • 高性能模拟接口:4个12bit 5Msps高速ADC,可配置为12/10/8/6bit模式,6bit模式下采样率高达9Msps,多达40路外部单端输入通道,支持差分模式;4个轨到轨运算放大器,内置最大32倍可编程增益放大;多达7个高速模拟比较器,内置64级可调比较基准;多达24通道电容式触摸按键,支持低功耗状态下唤醒;2个12bit DAC,采样率1Msps;支持外部输入独立参考电压源;所有模拟接口支持1.8~3.6V全电压工作
  • 最大支持80个支持复用功能的GPIOs,大多数GPIO支持5V耐压
  • 2个高速DMA控制器,每个控制器支持8通道,通道源地址及目的地址任意可配
  • RTC实时时钟,支持闰年万年历,闹钟事件,周期性唤醒,支持内外部时钟校准
  • 定时计数器:2个16bit高级定时计数器,支持输入捕获、输出比较、PWM输出以及正交编码输入等功能,最高控制精度6.9nS。每个定时器有4个独立的通道,其中3个通道支持6路互补PWM输出;4个16bit通用定时计数器,每个定时器有4个独立通道,支持输入捕获/输出比较/PWM输出;2个16bit基础定时计数器;1x 24bit SysTick;1x 7bit窗口看门狗(WWDG);1x 12bit独立看门狗( IWDG)
  • 编程方式:支持SWD/JTAG在线调试接口;支持UART、USB Bootloader
  • 安全特性:内置密码算法硬件加速引擎,支持AES、DES、SHA,SM1、 SM3、SM4、SM7,MD5算法;Flash存储加密;多用户分区管理(MMU);TRNG真随机数发生器;CRC16/32运算;支持写保护(WRP),多种读保护(RDP)等级(L0/L1/L2);支持安全启动,程序加密下载,安全更新;支持时钟失效监测,防拆监测
  • 96位UID及128位UCID
  • 工作条件:工作电压范围:1.8V~3.6V;工作温度范围:-40°C~105°C;ESD:±4KV(HBM模型),±1KV(CDM模型)

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