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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GS66506T-TR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 49pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ |
商品概述
GS66506T 是一款增强型氮化镓（GaN）硅基功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高耐压和高开关频率。氮化镓系统公司（GaN Systems）通过行业领先的创新技术，如获得专利的岛式技术（Island Technology®）和 GaNPX® 封装，推动了行业发展。岛式技术的单元布局实现了高电流芯片和高良品率。GaNPX® 封装在小尺寸封装中实现了低电感和低热阻。GS66506T 是一款顶部散热晶体管，为高功率应用提供极低的结到壳热阻。这些特性共同实现了高效的功率开关。
商品特性
- 650V 增强型功率晶体管
- 顶部散热配置
- RDS(on) = 67 mΩ
- IDS(max) = 22.5 A
- 超低品质因数（FOM）芯片
- 低电感 GaNPX® 封装
- 简单的栅极驱动要求（0V 至 6V）
- 瞬态耐受栅极驱动（-20V / +10V）
- 非常高的开关频率（> 10 MHz）
- 快速且可控的上升和下降时间
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 5.6×4.5 mm² 的小 PCB 占位面积
- 双栅极焊盘，实现最佳电路板布局
- 符合 RoHS3（6 + 4）标准
应用领域
- 交流 - 直流转换器
- 直流 - 直流转换器
- 不间断电源
- 工业电机驱动器
- 家电电机驱动器
- 快速电池充电
- D 类音频放大器
- 无线电力传输