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GS-065-018-6-LR-MR
增强型GaN功率晶体管，具备高开关频率、低结壳热阻和零反向恢复损耗等特性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- GS-065-018-6-LR-MR
- 商品编号
- C32314993
- 商品封装
- PDFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 132pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ |
商品概述
GS-065-018-6-LR是一款700V增强型氮化镓硅基功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高电压击穿和高开关频率。氮化镓系统公司通过行业领先的创新技术，如获得专利的岛式技术单元布局，实现了大电流芯片和高良品率。GS-065-018-6-LR是一款底部冷却的晶体管，为高功率应用提供低结壳热阻。这些特性共同实现了非常高效的功率开关。
商品特性
- 700V增强型功率晶体管，850V瞬态漏源电压
- 底部冷却，8×8mm PDFN封装
- RDS(on) = 62 mΩ
- IDSmax,DC = 23A / IDsmax,Pulse = 39A
- 简单的栅极驱动要求（0V至6V）
- 瞬态耐受栅极驱动（-20V / +10V）
- 高开关频率（> 1MHz）
- 快速且可控制的下降和上升时间
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 用于优化栅极驱动的源极感应（SS）引脚
- 符合RoHS 3（6+4）标准
应用领域
- 消费和工业电源
- 电源适配器
- LED照明驱动器
- 快速电池充电
- 功率因数校正
- 家电和工业电机驱动
- 无线电力传输