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W25Q32RVXHJQ TR
32M位串行NOR闪存存储器，支持双/四SPI和QPI
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W25Q32RVXHJQ TR
- 商品编号
- C32246052
- 商品封装
- XSON-8(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.105021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 32Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 60uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 2ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 1.2s@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品概述
W25Q32RV（32M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。该25Q系列提供了远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适用于代码从RAM中影子运行、直接从双路/四路SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件在2.7V至3.6V单电源电压下工作，掉电电流为0.1μA。所有器件均采用节省空间的封装形式提供。 W25Q32RV阵列组织为16,384个可编程页，每页256字节。每次最多可编程256字节。页可以按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、256页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q32RV分别具有1,024个可擦除扇区和64个可擦除块。4KB的小扇区为需要存储数据和参数的应用提供了更大的灵活性。 W25Q32RV支持标准串行外设接口（SPI）、双路/四路I/O SPI以及四路外设接口（QPI）：串行时钟、片选、串行数据I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（WP）和I/O3（/HOLD）。支持高达133MHz的SPI时钟频率，当使用快速读双路/四路I/O和QPI指令时，允许实现相当于266MHz（133MHz × 2）的双路I/O时钟速率和532MHz（133MHz × 4）的四路I/O时钟速率。
商品特性
- 单电源电压：2.7V至3.6V
- 低功耗：工作电流4mA（典型值），掉电电流0.1μA（典型值）
- 灵活的架构：4KB扇区、32KB块、64KB块和全芯片擦除
- 高可靠性：100,000次编程/擦除循环，数据保持期20年
- 快速编程时间：256字节页编程时间0.6ms（典型值）
- 快速擦除时间：4KB扇区擦除时间30ms（典型值），64KB块擦除时间0.3s（典型值）
- 支持标准、双路和四路SPI操作
- 支持QPI（四路外设接口）模式
- 支持软件和硬件复位
- 灵活的写保护机制
- 安全寄存器：256字节一次性可编程（OTP）区域
- 每个器件具有64位ID
- 扩展温度范围：-40℃至+85℃
- 小型封装选项