温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STO36N60M6
1个N沟道 耐压:600V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-LL封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STO36N60M6
- 商品编号
- C2978937
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳保护
- 借助额外的驱动源极引脚,具备出色的开关性能
应用领域
- 开关应用