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IGB08N120S7ATMA1
1.2kV 20A
- 描述
- 特性：VCE = 1200 V。 IC = 8 A。 低饱和电压：VCEsat = 2 V（Tdj = 150℃时）。 短路耐用性：8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用：工业驱动器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGB08N120S7ATMA1
- 商品编号
- C32168359
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@8A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.15V@0.16mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@8A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.3nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 14ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 149ns | |
| 导通损耗(Eon) | 460uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 410uJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- VCE = 1200 V
- IC = 8 A
- 在Tvj = 150°C时，低饱和电压VCEsat = 2 V
- 短路耐受时间8 μs
- 宽范围的dv/dt可控性
应用领域
- 工业驱动