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TSM2309CX RFG

1个P沟道耐压:60V 电流:3.1A

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描述: 1个P沟道耐压:60V 电流:3.1A
品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM2309CX RFG
商品编号: C2977534
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.04克(g)

商品参数

商品特性

-20V/-5A
当VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 20mΩ（典型值）
当VGS = -2.5V时，RDS(ON) = 30mΩ（典型值）
低导通电阻
超高密度单元设计
可靠耐用
提供无铅环保器件（符合RoHS标准）

应用领域

负载开关-电源管理-电池保护

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	3.1A
	导通电阻(RDS(on))	240mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	1.56W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	8.2nC@10V
	输入电容(Ciss)	425pF
	反向传输电容(Crss)	20pF
	工作温度	-50℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	35pF