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RUH1H05M4实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RUH1H05M4

N沟道,电流:5A,耐压:100V

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商品型号
RUH1H05M4
商品编号
C2977206
商品封装
DFN2020-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.026克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)14W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)7.9nC@10V
输入电容(Ciss)390pF@50V
反向传输电容(Crss)15pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 栅源电压(VGS)为10V时,导通电阻(RDS(ON))典型值为3.4mΩ
  • 耐压60V,电流180A
  • 超高密度单元设计
  • 超低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 直流-直流转换器和离线式UPS-开关应用

数据手册PDF