温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RU20D12H
双N沟道MOSFET,电流:12A,耐压:20V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU20D12H
- 商品编号
- C2977186
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.223克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 20V/55A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 3.5mΩ（典型值）
- 当VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 4.5mΩ（典型值）
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 开关应用系统
相似推荐
其他推荐