- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GS-065-030-6-LL-TR
GS-065-030-6-LL-TR
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- GS-065-030-6-LL-TR
- 商品编号
- C32119901
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ |
商品概述
GS-065-030-6-LL 是一款增强型氮化镓硅基功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高电压击穿和高开关频率。GaN Systems 采用行业领先的创新技术，如获得专利的岛式技术单元布局，实现了高电流芯片和高良率。GS-065-030-6-LL 是一款底部散热晶体管，为高功率应用提供低结壳热阻。这些特性相结合，可实现高效的功率开关。
商品特性
- 700 V 增强型功率晶体管
- 850 V 瞬态漏源电压
- 底部散热 TOLL 封装
- RDS(on) = 40 mΩ
- IDS,max = 40 A / IDSmax,Pulse = 67 A
- 简单的栅极驱动要求（0 V 至 6 V）
- 瞬态耐受栅极驱动（-20 V / +10 V）
- 高开关频率（> 1 MHz）
- 快速且可控的上升和下降时间
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 用于优化栅极驱动的源极检测（SS）引脚
- 符合 RoHS 3（6+4）标准
应用领域
- 无桥图腾柱 PFC
- 工业和数据中心高密度电源
- 家电和工业电机驱动
- 太阳能逆变器
- 不间断电源
- 激光驱动器
- LED 照明驱动器
- 无线电力传输