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SI2306-TP
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.16A
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- 描述
- 特性：高密电池设计，极低的RDS(ON)。 坚固可靠。 表面贴装封装。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1。 无卤，“绿色”器件。 无铅涂层，符合RoHS标准
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI2306-TP
- 商品编号
- C2975463
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 305pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 具有市场上极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 优值（FoM）出色
- 低反向传输电容与输入电容比（Crss/Ciss），具备抗电磁干扰能力
- 雪崩耐量高
应用领域
- 开关应用
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